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Chips Fotónicos Integrados
DAS trabaja en el diseño y desarrollo de dispositivos fotónicos integrados mediante el uso de sistemas de nanofabricación basadas en tecnología de Silicio (CMOS). Disponemos de experiencia en tecnologías integradas de metamateriales, nanohilos y cristales fotónicos para la elaboración de funcionalidades en distintos tipos de estructuras de materiales.
Haciendo uso de estas estructuras de alto contraste se consigue un mayor control de la señal luminosa lo que permite la implementación de novedosas aplicaciones con una alta capacidad de integración. De esta forma se pueden implementar circuitos relativamente complejos en unas dimensiones muy reducidas. Otra de las ventajas es la compatibilidad con los procesos de fabricación en volúmenes en microelectrónica por lo que se consiguen dispositivos de bajo coste. Dentro de las tecnologías integradas disponibles destacan las siguientes:
- Tecnologías de ultra alto contraste de índices:
En esta sección encontramos la tecnología SOI
(Silicon on insulator) basada en el guiado en el silicio y la
tecnología SiN (nitruro de silicio). También se ha
trabajado con otros materiales como el CdTe.
- Tecnologías de alto contraste de índices: Cuando
no se requieren altos niveles de integración es posible la
implementación de estructuras de menor contraste de
índices utilizando guiado en SiO2 o en polímeros.
Adicionalmente, mediante la tecnología de Oxinitruro
(SiON) es posible ajustar el contraste de índices desde el
alto contraste al ultra alto contraste.
- Metalizaciones: Adicionalmente se trabaja con metalizaciones que permiten introducir electrodos de control eléctricos e implementar estructuras de metamateriales o basadas en resonancias de plasmones superficiales (SPR).
